華為全面進(jìn)攻功率器件
2021-03-22 17:00
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據(jù)知情人士透露,華為正在為公司的功率器件研發(fā)大肆招兵買馬,其中包括IGBT、MOSFET、SiC、GaN等主流的功率器件,據(jù)說(shuō)隊(duì)伍目前已有數(shù)百人。 | 相關(guān)閱讀(36氪)
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楊安琪
想當(dāng)時(shí)間的朋友
在經(jīng)過(guò)貿(mào)易戰(zhàn)的洗禮后,越來(lái)越多的下游廠商主動(dòng)開(kāi)始嘗試接受國(guó)產(chǎn)IGBT,這就給了國(guó)產(chǎn)IGBT更多的試錯(cuò)機(jī)會(huì),從而促進(jìn)了國(guó)產(chǎn)IGBT的技術(shù)迭代,讓國(guó)產(chǎn)IGBT進(jìn)入了一個(gè)良性的迭代循環(huán)的過(guò)程。
功率器國(guó)產(chǎn)替代已經(jīng)進(jìn)入了高速增長(zhǎng)期,華為布局也是理所當(dāng)然,之前比亞迪在idgb的研發(fā)上也是領(lǐng)先的。